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離子遷移不再困擾:高效覆蓋膜解決方案


隨著電子設備在提高性能的同時向著小型化、輕量化方向發展,產品集成度越來越高,FPC的線寬線距越來越小。當FPC在高溫高濕的環境下工作時,細線路間易形成導電性枝晶,降低線路間的絕緣可靠性,甚至導致FPC短路失效。離子遷移造成的電子產品元器件電化學腐蝕成為下遊FPC廠近幾年最嚴重的質量問題。

 

提高蜜桃APP下载污污污基材的耐離子遷移性成為了電子產品開發中的迫切需求。因此,對於精細線路製程工藝,與之匹配的抗枝晶(Anti-dendrite)材料就顯得十分必要。抗枝晶(Anti-dendrite)材料的使用,能有效降低細線路間產生枝晶的風險,提高FPC的可靠性。

 

耐離子遷移的產生條件

 

電化學遷移通常是指在電場作用下使金屬離子發生遷移的現象,其形成的必要條件:電勢差、電解質溶液、離子遷移通道、可遷移物質。

 

電勢差:F蜜桃APP下载污污污使用通電時,通路之間會形成一定的電勢差。

電解質溶液:環境條件下的水汽,F蜜桃APP下载污污污製程中的汙染物離子及有膠材料膠粘劑中的雜質離子,可形成可導電的電解質溶液。

離子遷移通道:環氧膠係覆蓋膜在熱固化過程中會形成一些微小孔隙及空洞,就可為離子遷移提供通道。

可遷移物質:焊點Sn、 焊盤Ni、基材Cu等可參與電化學反應的金屬及其離子。

 

耐離子遷移覆蓋膜優勢


 

相對於normal CVL :

l 更低的鹵素水平

l 更優秀的高溫耐老化能力

l 1000H耐離子遷移能力,無枝晶

 

相對於其他廠家Anti-dendrite CVL

l 更好的操作性

l 更優良的基礎物性和耐老化信賴性

l 更具有競爭力的價格


技術參數

 

ZYC-C係列CVL耐離子遷移性能突出,適合精細線路設計FPC製程。

 

項目

ZYC-C

疊構

PI

膠離型紙

PI

廠家

達邁、菲瑪特

厚度/um

12、25、50

廠家

南昌蜜桃视频黄色网

厚度/um

10-50

 

 

耐離子遷移覆蓋膜——鹵素對比

 

Anti-dendrite產品具有較Normal產品更低的鹵素水準,更耐離子遷移。

 

 

 Normal CVL 428ppm

 

 

耐離子遷移覆蓋膜——遷移測試

 

Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

離子遷移測試 

Normal CVL

Anti-dendrite CVL

測試條件

溫濕度:85℃/85%RH

時間:1000h

電壓: DC 50V

基材:ZYFD250012

覆蓋膜:ZYC1215

線寬線距:50um/50um

測試結果

500H NG

1000H OK

阻值

初始電阻/Ω

1.48E+9

1.92E+9

500H電阻/Ω

--

1.89E+9

1000H電阻/Ω

--

1.87E+9

電阻下降率

--

2.6%

*500h Normal cvl部分樣品發生微短

 

 

耐離子遷移覆蓋膜——測試設備

 

85環境下50V直流電壓對樣品進行測試1000H


 

 

Migration test 1000H OK , no dendrite


 

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